| |  SSD1TB990PRO: €149.01 Listino Pubblico Ottobre 2025
 
   |  |  | SAMSUNG 1TB 990 PRO
 
 Caratteristiche generali
 
 Tipologia di Design
 M.2 (2280)
 
 Interfaccia
 PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
 
 Dimensioni (LxAxP)
 80 x 22 x 2.3 mm
 
 Peso
 Max 9.0g Weight
 
 Memoria di archiviazione
 Samsung V-NAND 3-bit MLC
 
 Controller
 Controller in-house Samsung
 
 Memoria cache
 Samsung 1GB Low Power DDR4 SDRAM
 
 Funzioni speciali
 Supporto TRIM
 Supportato
 
 Supporto S.M.A.R.T
 Supportato
 
 GC (Garbage Collection)
 Auto Garbage Collection
 
 Algorithm
 Supporto crittografia
 AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
 
 Supporto WWN
 Non supportato
 
 Supporto modalità sleep del dispositivo
 Sì
 
 Prestazioni
 Lettura sequenziale
 Fino a 7.450 MB/s * Le prestazioni possono variare in base all’hardware e alla configurazione di sistema
 
 Scrittura sequenziale
 Fino a 6,900 MB/s * Le prestazioni possono variare in base all’hardware e alla configurazione di sistema
 
 Lettura casuale (4 KB, QD32)
 Fino a 1,200,000 IOPS * Le prestazioni possono variare in base all’hardware e alla configurazione di sistema
 
 Scrittura casuale (4 KB, QD32)
 Fino a 1,550,000 IOPS * Le prestazioni possono variare in base all’hardware e alla configurazione di sistema
 
 Lettura casuale (4 KB, QD1)
 Fino a 22,000 IOPS *Le prestazioni possono variare in base all’hardware e alla configurazione di sistema
 
 Scrittura casuale (4 KB, QD1)
 Fino a 80,000 IOPS ** Le prestazioni possono variare in base all’hardware e alla configurazione di sistema
 
 Ambiente
 
 Consumo energetico medio (a livello di sistema)
 *Media: 5.4 W* Il consumo di energia effettivo può variare in base all’hardware e alla configurazione di sistema
 
 Consumo energetico (inattivo)
 Max. 50 mW * Il consumo di energia effettivo può variare in base all’hardware e alla configurazione di sistema
 
 Tensione consentita
 3.3 V ± 5 % Allowable voltage
 
 Affidabilità (MTBF)
 1.5 Million Hours Reliability (MTBF)
 
 Temperatura di funzionamento
 0 - 70 ℃ Operating Temperature
 
 Shock
 1,500 G & 0.5 ms (Half sine)
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